donanimhaber.com'un haberine göre, Micron, daha hızlı açılış, daha hızlı uygulama başlatma ve daha hızlı video işleme sunan modern akıllı telefonlar için UFS 4.0 depolama yongalarının ilk sevkiyatlarını duyurdu. Micron’a göre yeni bellekler 2 kat performans ve daha iyi verimlilik sunacak.
Yeni yongalar Micron'un 232 katmanlı 3D NAND belleği üzerine inşa ediliyor ve 1TB'a kadar kapasite sunuyor. Üretici ayrıca, teknolojik iyileştirmelerle birlikte "son derece yapılandırılabilir ürün yazılımının" amiral gemisi akıllı telefonlar için eşsiz bir performans sunduğunu iddia ediyor. Micron'un UFS 4.0 çipleri yüzde 100 yazma ve yüzde 75 artırılmış okuma bant genişliğine sahip üç seviyeli hücreler (TLC) kullanarak 4.000MB/s sıralı yazma ve 4.300MB/s sıralı okuma hızlarına ulaşabiliyor.
Micron, tepki hızının ve daha hızlı yükleme sürelerinin elde edilmesi için UFS 4.0 yongalarında daha fazla katman halinde istiflenmiş bellek hücreleri kullandığını belirtiyor. Bu yeni altı düzlemli NAND mimarisi 512GB ve 1TB UFS 4.0 yongaları kullanan cihazlarda mevcut olacak, 256GB yapılandırma ise dört düzlemli NAND kullanıyor olacak.
VERİMLİLİK YÜZDE 25 ARTIYOR
Micron, daha hızlı açılış, daha hızlı uygulama başlatma ve daha hızlı video işleme sunan modern akıllı telefonlar için UFS 4.0 depolama yongalarının ilk sevkiyatlarını duyurdu. Micron’a göre yeni bellekler 2 kat performans ve daha iyi verimlilik sunacak.
Yeni yongalar Micron'un 232 katmanlı 3D NAND belleği üzerine inşa ediliyor ve 1TB'a kadar kapasite sunuyor. Üretici ayrıca, teknolojik iyileştirmelerle birlikte "son derece yapılandırılabilir ürün yazılımının" amiral gemisi akıllı telefonlar için eşsiz bir performans sunduğunu iddia ediyor. Micron'un UFS 4.0 çipleri yüzde 100 yazma ve yüzde 75 artırılmış okuma bant genişliğine sahip üç seviyeli hücreler (TLC) kullanarak 4.000MB/s sıralı yazma ve 4.300MB/s sıralı okuma hızlarına ulaşabiliyor.
Micron, tepki hızının ve daha hızlı yükleme sürelerinin elde edilmesi için UFS 4.0 yongalarında daha fazla katman halinde istiflenmiş bellek hücreleri kullandığını belirtiyor. Bu yeni altı düzlemli NAND mimarisi 512GB ve 1TB UFS 4.0 yongaları kullanan cihazlarda mevcut olacak, 256GB yapılandırma ise dört düzlemli NAND kullanıyor olacak.
Ancak, her şey hızdan ibaret değil. Yeni bellek enerji verimliliğinde yüzde 25 artış vaat ederek akıllı telefonunuzun performans artışları nedeniyle pilinin daha hızlı tükenmemesini sağlıyor. UFS 3.1 ile kıyaslandığında UFS 4.0 ile yüzde 15 daha hızlı uygulama başlatma, yüzde 20 daha yüksek açılış hızları ve yüzde 25 daha iyi güç verimliliği vadediliyor. Micron'un UFS 4.0 depolaması, diğer üreticilerin sunduklarına kıyasla (muhtemelen Samsung'un 2022'de duyurduğu UFS 4.0 çipleri) yüzde 10 daha iyi yazma gecikmesi sunuyor.
Micron yeni UFS 4.0 depolama yongalarını 2023'ün ikinci yarısında seri üretime geçirmeyi ve akıllı telefon üreticilerine üç depolama konfigürasyonu sunmayı vaat ediyor: 256GB, 512GB ve 1TB. Micron'un yeni depolama alanı, amiral gemisi telefonların yanı sıra otomobillerde, bilgisayar sistemlerinde ve yüksek performanslı ve tutarlı güvenilirliğe sahip düşük güçlü bellek gerektiren diğer cihazlarda da kullanılabilecek.
